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Georgetown:乔治敦

同时,AMD还将紧次于2005年上半年的"乔治敦"(Georgetown)之后推出90纳米SOI制程的"Albany",这将是目前130纳米制程移动Sempron的下一代产品.

hammer:锤

北京3月28日消息:AMD公司将在其新的64位"大锤"(Hammer)微处理器芯片中使用IBM公司的SOI技术和其他一些设计,作为回报AMD也将用自己的一些专利权进行交换,这笔交易额涉及几百万美元.

imperfection:缺陷

绝缘层覆矽(silicon-on-insulator, SOI)技术是在绝缘的二氧化矽基板上,沉积一层导电的矽薄膜,然而随著科学家将矽薄膜越做越薄,薄膜上的缺陷(imperfection)会在两种材料的边界捕捉电荷载子(电子及电洞),导致导电性降低已成为一大隐忧.

inversion layer:反转层

此外,当矽晶膜层的厚度变薄时,闸极只要加较小的偏压就能产生反转层(inversion layer),造成临限电压的下降,因此,SOI元件的临线电压具有缩小性[14],制作时不需要well mask,制程较传统MOS元件简单.

JE:我

214还有第二个本征的原则,不可分离的,它是:尽管有"我"(moi)的内部的改变(性格、情绪的变化)和"自我"(soi)的内部的改变(由于年龄发生着体质的改变),"我"(Je)保持同一.

MI:米

比如主音的谐音"多"(do)、"米"(mi)、"索"(SOI)的频率之比为4:5:6(如果换成周期之比,则为1/4:1/5:1/6). 我们还可耳朵偏爱有节奏的给耳膜带来拿三个摆为例,它们分别称为"多"、"米"、"索",其长度由确定的摆动周期而定(长度之间的比为1/36:l/25:l/16),

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