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在一个实例中,具有暴露的硅区的压敏电阻压力传感器经受了硅的局部氧化(LOCOS)处理. 用LOCOS工艺产生了电绝缘结构. 该绝缘结构与压敏电阻压力传感器具有圆形的或弯曲的界面. 该弯曲的界面减轻了伴随着暴露到高温和高压下的应力.

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