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tamana tamana tamana t amana kolicay：(闽) 高丽菜

ilaluma' talolong angongol ingan gor angongol 深 | tamana tamana tamana t amana kolicay(闽) 高丽菜 | tangal tangal fongoh fo ngoh fongoh 头

Housing Black Body: Heat resistant polymer：黑体热阻聚合物制成

Dice Material: InGaN 芯片材料:氮化铟镓 | Housing Black Body: Heat resistant polymer黑体热阻聚合物制成 | Lens Silicone resin : Water Clear透色有机矽树脂透镜

positron annihilation：正电子湮没

并进一步利用"低速正电子湮没(positron annihilation)测定"法得知,产生非辐射复合的点缺陷在InGaN中比GaN多,正电子的移动距离不足4nm,几乎不动. 无论是被捕捉到In与N的定域态部分,还是点缺陷中,正电子的传播长度都会缩短. 作为InGaN来说,

radiative recombination：辐射复合

高亮度发光的原理是在空穴和电子因结晶缺陷而进行无益于发光的非辐射复合(non-radiative recombination)之前,大量空穴被捕捉到InGaN混晶内部聚集有In和N的"定域态(localized state)"部分,这部分空穴和电子通过辐射复合(radiative recombination)即可发光.

Zener Diodes：齐纳二极管

采用与医学用生命支持设备相同的技术,CAMD发展出一种硅载体(Silicon Carrier)或次黏着基台(Submount),以做为InGaN芯片与导线框之间的内部固着介质;当透过齐纳二极管(Zener Diodes)来提供ESD保护的同时,这种Submount设计也能降低TCE不协调性的冲击.

Dice Material: InGaN：芯片材料:氮化铟镓

u MATERIALS:使用材料 | Dice Material: InGaN 芯片材料:氮化铟镓 | Housing Black Body: Heat resistant polymer黑体热阻聚合物制成

Ingyeo ingan (1964) Extra Humans：剩余人类

遗失的太阳 Ilheobeolin taeyang (1964) Lost Sun | 剩余人类 Ingyeo ingan (1964) Extra Humans | 荣和嬷嬷 Yeonghwa mama (1964) Queen Yongwha's Avenger

ilaluma' talolong angongol ingan gor angongol：深

rubu talokan pakokoan t apololan salomek 鸡笼 | ilaluma' talolong angongol ingan gor angongol 深 | tamana tamana tamana t amana kolicay(闽) 高丽菜

short period：短周期

其结构与现有的氮化镓系发光二极管最主要的差异是,利用氮化硅(SiN)、氮化硅与未掺杂的氮化铟镓(InGaN)形成的短周期(Short Period)超晶格(Superlattice)结构、和氮化硅与未掺杂的氮化铝铟镓(AlGaInN)形成的短周期超晶格结构中的一种,

photoperiodic response：光周期响应

photoperiodic induction 光周期诱导 | photoperiodic response 光周期响应 | photoperiodism 光期性

Multi-Variate Statistical Analysis：多元统计剖析

311. 多项距阵 Multi-Nominal Matrix | 312. 多元统计剖析 Multi-Variate Statistical Analysis | 313. 发电厂 Power Plant